UM6K1NTN

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-363-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

100 mA

Rds On - 漏源電阻：

8 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

800 mV

Vgs - 柵源電壓：

4 V

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 mW

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.9 mm

長度：

2 mm

產品：

MOSFET 小信號

系列：

UM6K1N

晶體管類型：

2 N-Channel MOSFET

類型：

MOSFET

寬度：

1.25 mm

品牌：

羅姆半導體

秋季時間：

80 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

35 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

80 ns

典型的開啟延遲時間：

15 ns

第 # 部分別名：

UM6K1N

單位重量：

0.000265 oz

Tags

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