BSM75GB120DN2

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

IGBT 模塊

RoHS：

N

產品：

IGBT 矽模塊

配置：

半橋

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

1200 V

集電極-發射極飽和電壓：

2.5 V

25 C 時的連續集電極電流：

105 A

柵極-發射極漏電流：

320 nA

Pd - 功耗：

625 W

包裝/案例：

Half Bridge1

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 150 C

打包：

托盤

高度：

30.5 mm

長度：

94 mm

寬度：

34 mm

品牌：

英飛凌科技

安裝方式：

底盤安裝

最大柵極發射極電壓：

20 V

產品類別：

IGBT 模塊

出廠包裝數量：

10

子類別：

IGBT

第 # 部分別名：

BSM75GB120DN2HOSA1 SP000095923

Tags

BSM75GB120DN2, BSM75GB120DN, BSM75GB120, BSM75GB12, BSM75GB1, BSM75GB, BSM75G, BSM75, BSM7, BSM