DF150R12RT4

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

IGBT 模塊

產品：

IGBT 矽模塊

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

1200 V

集電極-發射極飽和電壓：

2.15 V

25 C 時的連續集電極電流：

150 A

柵極-發射極漏電流：

100 nA

Pd - 功耗：

790 W

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 150 C

打包：

托盤

品牌：

英飛凌科技

安裝方式：

底盤安裝

最大柵極發射極電壓：

20 V

產品類別：

IGBT 模塊

出廠包裝數量：

10

子類別：

IGBT

第 # 部分別名：

DF150R12RT4HOSA1 SP000711868

Tags

DF150, DF15, DF1