FDME820NZT

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

UMLP-6

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

9 A

Rds On - 漏源電阻：

18 mOhms

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.1 W

配置：

單身的

商品名：

動力戰壕

打包：

捲軸

高度：

0.55 mm

長度：

1.6 mm

系列：

FDME820NZT

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

1.6 mm

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

5000

子類別：

MOSFET

單位重量：

0.001058 oz

Tags

FDME, FDM