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TK62J60W,S1VQ

TK62J60W,S1VQ
Mfr. #:
TK62J60W,S1VQ
製造商:
Toshiba
描述:
MOSFET N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC
生命週期:
製造商新產品
數據表:
TK62J60W,S1VQ 數據表
交貨:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支付:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK62J60W,S1VQ DatasheetTK62J60W,S1VQ Datasheet (P4-P6)TK62J60W,S1VQ Datasheet (P7-P9)TK62J60W,S1VQ Datasheet (P10)
ECAD Model:
產品屬性
屬性值
製造商：
東芝
產品分類：
MOSFET
RoHS：
Y
技術：
矽
安裝方式：
通孔
包裝/案例：
TO-3PN-3
通道數：
1 Channel
晶體管極性：
N通道
Vds - 漏源擊穿電壓：
600 V
Id - 連續漏極電流：
61.8 A
Rds On - 漏源電阻：
33 mOhms
Vgs th - 柵源閾值電壓：
3.7 V
Vgs - 柵源電壓：
30 V
Qg - 門電荷：
180 nC
最低工作溫度：
- 55 C
最高工作溫度：
+ 150 C
Pd - 功耗：
30 W
配置：
單身的
頻道模式：
增強
高度：
20 mm
長度：
15.5 mm
系列：
TK62J60W
晶體管類型：
1 N-Channel
寬度：
4.5 mm
品牌：
東芝
秋季時間：
15 ns
產品類別：
MOSFET
上升時間：
58 ns
出廠包裝數量：
25
子類別：
MOSFET
典型關斷延遲時間：
310 ns
典型的開啟延遲時間：
115 ns
單位重量：
0.245577 oz
Tags
TK62J, TK62, TK6
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
X35 Pb-F Power Mosfet Transistor To-3Pn Moq=50 Pd=400W F=1Mhz Rohs Compliant: Yes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
***i-Key
MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)
***et
DTMOSIV_600V_38MOHM MAX(VGS=10V)_TO-3P(N)
***
N-CH 61.8A 400W FET 600V
圖片 型號 描述
GS1M-LTP

Mfr.#: GS1M-LTP

OMO.#: OMO-GS1M-LTP

 Rectifiers 1000V,1A
GS1M-LTP

Mfr.#: GS1M-LTP

OMO.#: OMO-GS1M-LTP-MICRO-COMMERCIAL-COMPONENTS

 Rectifiers 1000V,1A
可用性
庫存:
41
訂購:
2024
輸入數量:
TK62J60W,S1VQ的當前價格僅供參考，如果您想獲得最優惠的價格，請提交查詢或直接發送電子郵件至我們的銷售團隊[email protected]
參考價格（美元）
數量
單價
小計金額
1
US$14.86
US$14.86
10
US$13.50
US$135.00
25
US$12.49
US$312.25
50
US$11.82
US$591.00
100
US$11.48
US$1 148.00
250
US$10.47
US$2 617.50
500
US$9.79
US$4 895.00
1000
US$8.98
US$8 980.00
由於2021年半導體供不應求，低於2021年之前的正常價格，請發詢價確認。
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