IXZR18N50A-00

產品屬性

屬性值

製造商：

IXYS

產品分類：

射頻 MOSFET 晶體管

RoHS：

Y

晶體管極性：

N通道

技術：

矽

Id - 連續漏極電流：

19 A

Vds - 漏源擊穿電壓：

500 V

Rds On - 漏源電阻：

370 mOhms

輸出功率：

350 W

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-247-3

打包：

管子

系列：

IXZR18

類型：

射頻功率MOSFET

品牌：

IXYS

正向跨導 - 最小值：

6.7 S

通道數：

1 Channel

產品類別：

射頻 MOSFET 晶體管

Qg - 門電荷：

42 nC

出廠包裝數量：

30

子類別：

MOSFET

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4.6 V

Tags

IXZR18, IXZR1, IXZR, IXZ