2N7002E-T1-GE3

產品屬性

屬性值

製造商：

威世

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-23-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

240 mA

Rds On - 漏源電阻：

3 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

4.5 V

Qg - 門電荷：

0.6 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

350 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

2N7002E

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨導 - 最小值：

600 mS

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

18 ns

典型的開啟延遲時間：

13 ns

第 # 部分別名：

2N7002E-GE3

單位重量：

0.000282 oz

Tags

2N7002E-T1, 2N7002E-T, 2N7002E, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7