CSD19538Q2

產品屬性

屬性值

製造商：

德州儀器

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

WSON-FET-6

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

100 V

Id - 連續漏極電流：

50 A

Rds On - 漏源電阻：

59 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2.8 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

5.6 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

20.2 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

場效應管

打包：

捲軸

高度：

0.75 mm

長度：

2 mm

系列：

CSD19538Q2

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

2 mm

品牌：

德州儀器

正向跨導 - 最小值：

19 S

秋季時間：

2 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

3 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

7 ns

典型的開啟延遲時間：

5 ns

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