TPS1101DR

產品屬性

屬性值

製造商：

德州儀器

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOIC-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

15 V

Id - 連續漏極電流：

2.3 A

Rds On - 漏源電阻：

90 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

2 V, - 15 V

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 125 C

Pd - 功耗：

791 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

1.75 mm

長度：

4.9 mm

產品：

MOSFET 小信號

系列：

TPS1101

晶體管類型：

1 P-Channel

類型：

PMOS 開關

寬度：

3.9 mm

品牌：

德州儀器

秋季時間：

5.5 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

5.5 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

19 ns

典型的開啟延遲時間：

6.5 ns

單位重量：

0.002677 oz

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