BSC190N12NS3 G

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TDSON-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

120 V

Id - 連續漏極電流：

44 A

Rds On - 漏源電阻：

19 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

26 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

69 W

配置：

單身的

商品名：

優化MOS

打包：

捲軸

高度：

1.27 mm

長度：

5.9 mm

系列：

OptiMOS 3

晶體管類型：

1 N-Channel

類型：

OptiMOS 3 Power-Transistor

寬度：

5.15 mm

品牌：

英飛凌科技

正向跨導 - 最小值：

45 S, 23 S

秋季時間：

4 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

16 ns

出廠包裝數量：

5000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

22 ns

典型的開啟延遲時間：

17 ns

第 # 部分別名：

BSC190N12NS3GATMA1 BSC19N12NS3GXT SP000652752

Tags

BSC190N12, BSC190N1, BSC190, BSC19, BSC1, BSC