BSS670S2L H6327

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-23-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

55 V

Id - 連續漏極電流：

540 mA

Rds On - 漏源電阻：

345 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.2 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

2.26 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

360 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

打包：

捲軸

高度：

1.1 mm

長度：

2.9 mm

系列：

BSS670S2

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

1.3 mm

品牌：

英飛凌科技

正向跨導 - 最小值：

600 mS

秋季時間：

24 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

25 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

21 ns

典型的開啟延遲時間：

9 ns

第 # 部分別名：

BSS670S2LH6327XTSA1 BSS67S2LH6327XT SP000928950

單位重量：

0.000282 oz

Tags

BSS670S2LH63, BSS670S2LH, BSS670, BSS67, BSS6, BSS