APTM10HM19FT3G

產品屬性

屬性值

製造商：

微芯片

產品分類：

分立半導體模塊

RoHS：

Y

產品：

功率 MOSFET 模塊

Vgs - 柵源電壓：

30 V

安裝方式：

螺絲安裝

包裝/案例：

SP-32

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 150 C

打包：

管子

配置：

單身的

高度：

11.5 mm

長度：

73.4 mm

寬度：

40.8 mm

品牌：

微芯片/Microsemi

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

秋季時間：

125 ns

Id - 連續漏極電流：

70 A

Pd - 功耗：

208 W

產品類別：

分立半導體模塊

Rds On - 漏源電阻：

19 mOhms

上升時間：

70 ns

出廠包裝數量：

1

子類別：

分立半導體模塊

商品名：

功率MOS V

典型關斷延遲時間：

95 ns

典型的開啟延遲時間：

35 ns

Vds - 漏源擊穿電壓：

100 V

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2 V

Tags

APTM10H, APTM10, APTM1, APTM, APT