2N7002ET3G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-23-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

260 mA

Rds On - 漏源電阻：

2.5 Ohms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

300 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.94 mm

長度：

2.9 mm

產品：

MOSFET 小信號

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

1.3 mm

品牌：

安森美半導體

秋季時間：

1.2 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

1.2 ns

出廠包裝數量：

10000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

4.8 ns

典型的開啟延遲時間：

1.7 ns

單位重量：

0.000282 oz

Tags

2N7002ET, 2N7002E, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7