BSC084P03NS3E G

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TDSON-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

78.6 A

Rds On - 漏源電阻：

8.4 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

25 V

Qg - 門電荷：

43.4 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

69 W

配置：

單身的

商品名：

優化MOS

打包：

捲軸

高度：

1.27 mm

長度：

5.9 mm

系列：

OptiMOS P3

晶體管類型：

1 P-Channel

寬度：

5.15 mm

品牌：

英飛凌科技

秋季時間：

8.1 nS

產品類別：

MOSFET

上升時間：

133.5 nS

出廠包裝數量：

5000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

33.3 nS

第 # 部分別名：

BSC084P03NS3EGATMA1 BSC84P3NS3EGXT SP000473012

Tags

BSC084P03NS3E, BSC084, BSC08, BSC0, BSC