RQ6E030ATTCR

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-457-6

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

3 A

Rds On - 漏源電阻：

70 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2.5 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

5.4 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.25 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

晶體管類型：

1 P-Channel

品牌：

羅姆半導體

秋季時間：

5.5 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

8.5 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

22 ns

典型的開啟延遲時間：

6.5 ns

第 # 部分別名：

RQ6E030AT

Tags

RQ6E030, RQ6E03, RQ6E, RQ6