NSVMMBT6429LT1G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

雙極晶體管 - BJT

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-23-3

晶體管極性：

NPN

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

45 V

集電極-基極電壓 VCBO：

55 V

發射極基極電壓 VEBO：

6 V

集電極-發射極飽和電壓：

200 mV

最大直流集電極電流：

200 mA

增益帶寬積 fT：

700 MHz

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

系列：

MMBT6429L

直流電流增益 hFE 最大值：

1250 at 100 uA, 5 VDC

打包：

捲軸

品牌：

安森美半導體

DC 集電極/基極增益 hfe 最小值：

500 at 100 uA, 5 VDC

Pd - 功耗：

225 mW

產品類別：

BJT - 雙極晶體管

資質：

AEC-Q101

出廠包裝數量：

3000

子類別：

晶體管

單位重量：

0.000282 oz

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