CSD87335Q3DT

產品屬性

屬性值

製造商：

德州儀器

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

LSON-CLIP-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

25 A

Rds On - 漏源電阻：

2.4 Ohms, 1.2 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V, 750 mV

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

5.7 nC, 10.7 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

6 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

商品名：

場效應管

打包：

捲軸

高度：

1.5 mm

長度：

3.3 mm

系列：

CSD87335Q3D

晶體管類型：

2 N-Channel

寬度：

3.3 mm

品牌：

德州儀器

正向跨導 - 最小值：

59 S, 107 S

秋季時間：

4 ns, 5 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

29 ns, 27 ns

出廠包裝數量：

250

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

13 ns, 17 ns

典型的開啟延遲時間：

8 ns, 8 ns

單位重量：

0.002402 oz

Tags

CSD8733, CSD873, CSD87, CSD8, CSD