VNB20N07-E

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-263-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Id - 連續漏極電流：

20 A

Rds On - 漏源電阻：

50 mOhms

Qg - 門電荷：

60 nC

Pd - 功耗：

83 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

打包：

管子

系列：

VNB20N07

晶體管類型：

1 N-Channel OMNIFET Power MOSFET

類型：

低邊

品牌：

意法半導體

正向跨導 - 最小值：

17 S

秋季時間：

150 ns, 3.5 us

濕氣敏感：

是的

產品類別：

MOSFET

上升時間：

240 ns, 1.5 us

出廠包裝數量：

800

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

430 ns, 6 us

典型的開啟延遲時間：

90 ns, 800 ns

單位重量：

0.139332 oz

Tags

VNB20, VNB2, VNB