IXTK120P20T

產品屬性

屬性值

製造商：

IXYS

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-264-3

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

200 V

Id - 連續漏極電流：

120 A

Rds On - 漏源電阻：

30 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4.5 V

Vgs - 柵源電壓：

15 V

Qg - 門電荷：

740 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.04 kW

頻道模式：

增強

商品名：

溝槽P

打包：

管子

高度：

26.59 mm

長度：

20.29 mm

系列：

IXTK120P20

類型：

溝槽功率 MOSFET

寬度：

5.31 mm

品牌：

IXYS

正向跨導 - 最小值：

85 S

秋季時間：

50 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

85 ns

出廠包裝數量：

30

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

200 ns

典型的開啟延遲時間：

90 ns

單位重量：

0.264555 oz

Tags

IXTK120, IXTK12, IXTK1, IXTK, IXT