CSD18563Q5AT

產品屬性

屬性值

製造商：

德州儀器

產品分類：

MOSFET

RoHS：

E

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

VSONP-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

100 A

Rds On - 漏源電阻：

6.8 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.7 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

15 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

116 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

場效應管

打包：

捲軸

高度：

1 mm

長度：

5.75 mm

系列：

CSD18563Q5A

晶體管類型：

1 N-Channel Power MOSFET

類型：

NexFET 功率 MOSFET

寬度：

4.9 mm

品牌：

德州儀器

開發套件：

TPS40170EVM-597

秋季時間：

1.7 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

6.3 ns

出廠包裝數量：

250

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

11.4 ns

典型的開啟延遲時間：

3.2 ns

單位重量：

0.003041 oz

Tags

CSD185, CSD18, CSD1, CSD