STB18NM60ND

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-263-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

650 V

Id - 連續漏極電流：

13 A

Rds On - 漏源電阻：

290 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4 V

Vgs - 柵源電壓：

25 V

Qg - 門電荷：

34 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

130 W

配置：

單身的

打包：

捲軸

系列：

STB18NM60ND

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

意法半導體

秋季時間：

18 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

15.5 ns

出廠包裝數量：

1000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

13 ns

典型的開啟延遲時間：

55 ns

單位重量：

0.139332 oz

Tags

STB18NM, STB18N, STB18, STB1, STB