APT75GP120B2G

產品屬性

屬性值

製造商：

微芯片

產品分類：

IGBT晶體管

RoHS：

Y

技術：

矽

包裝/案例：

T-Max-3

安裝方式：

通孔

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

1.2 kV

集電極-發射極飽和電壓：

3.3 V

最大柵極發射極電壓：

30 V

25 C 時的連續集電極電流：

100 A

Pd - 功耗：

1.042 kW

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

打包：

管子

連續集電極電流 Ic 最大值：

100 A

高度：

5.31 mm

長度：

21.46 mm

工作溫度範圍：

- 55 C to + 150 C

寬度：

16.26 mm

品牌：

微芯片/Microsemi

連續集電極電流：

100 A

柵極-發射極漏電流：

100 nA

產品類別：

IGBT晶體管

出廠包裝數量：

1

子類別：

IGBT

商品名：

POWER MOS 7 IGBT

Tags

APT75GP, APT75G, APT75, APT7, APT