2N3019S/TR

產品屬性

屬性值

製造商：

微芯片

產品分類：

雙極晶體管 - BJT

RoHS：

N

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-5-3

晶體管極性：

NPN

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

80 V

集電極-基極電壓 VCBO：

140 V

發射極基極電壓 VEBO：

7 V

集電極-發射極飽和電壓：

0.5 V

最大直流集電極電流：

1 A

最低工作溫度：

- 65 C

最高工作溫度：

+ 200 C

直流電流增益 hFE 最大值：

300 at 500 mA, 10 V

打包：

捲軸

品牌：

微芯片/Microsemi

DC 集電極/基極增益 hfe 最小值：

15 at 1 A, 10 V

Pd - 功耗：

800 mW

產品類別：

BJT - 雙極晶體管

出廠包裝數量：

100

子類別：

晶體管

Tags

2N3019S, 2N3019, 2N301, 2N30, 2N3