D2012UK

產品屬性

屬性值

製造商：

TT電子

產品分類：

射頻 MOSFET 晶體管

晶體管極性：

N通道

技術：

矽

Id - 連續漏極電流：

4 A

Vds - 漏源擊穿電壓：

65 V

獲得：

10 dB

輸出功率：

10 W

最高工作溫度：

+ 150 C

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DP

配置：

單身的

高度：

5.08 mm

長度：

18.92 mm

工作頻率：

1 GHz

類型：

射頻功率MOSFET

寬度：

6.35 mm

品牌：

Semelab / TT Electronics

頻道模式：

增強

Pd - 功耗：

42 W

產品類別：

射頻 MOSFET 晶體管

出廠包裝數量：

25

子類別：

MOSFET

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V to 7 V

Tags

D2012, D201, D20