IPP65R190CFD

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-220-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

650 V

Id - 連續漏極電流：

17.5 A

Rds On - 漏源電阻：

190 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

68 nC

Pd - 功耗：

151 W

配置：

單身的

商品名：

酷摩

打包：

管子

高度：

15.65 mm

長度：

10 mm

系列：

CoolMOS CFD2

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

4.4 mm

品牌：

英飛凌科技

秋季時間：

6.4 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

8.4 ns

出廠包裝數量：

500

子類別：

MOSFET

第 # 部分別名：

IPP65R190CFDXKSA1 IPP65R19CFDXK SP000881160

單位重量：

0.211644 oz

Tags

IPP65R190CF, IPP65R190C, IPP65R19, IPP65R1, IPP65, IPP6, IPP