BSG0811ND

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TISON-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

25 V

Id - 連續漏極電流：

50 A

Rds On - 漏源電阻：

2.4 mOhms, 700 uOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.2 V

Vgs - 柵源電壓：

16 V

Qg - 門電荷：

8.4 nC, 29 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

6.25 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

商品名：

優化MOS

打包：

捲軸

高度：

1.15 mm

長度：

6 mm

系列：

OptiMOS 5

晶體管類型：

2 N-Channel

寬度：

5 mm

品牌：

英飛凌科技

正向跨導 - 最小值：

46 S, 90 S

秋季時間：

1.4 ns, 2.6 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

4.7 ns, 4.3 ns

出廠包裝數量：

5000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

4.3 ns, 8.8 ns

典型的開啟延遲時間：

4.3 ns, 5.6 ns

第 # 部分別名：

BSG0811NDATMA1 SP001075902

單位重量：

0.008113 oz

Tags

BSG0811, BSG08, BSG0, BSG