FCA35N60

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-3PN-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

650 V

Id - 連續漏極電流：

35 A

Rds On - 漏源電阻：

79 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

5 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

139 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

312.5 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

超場效應晶體管

打包：

管子

高度：

20.1 mm

長度：

16.2 mm

系列：

FCA35N60

晶體管類型：

1 N-Channel

類型：

600 V N-Channel MOSFET

寬度：

5 mm

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

正向跨導 - 最小值：

28.8 S

秋季時間：

73 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

120 ns

出廠包裝數量：

450

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

105 ns

典型的開啟延遲時間：

34 ns

單位重量：

0.225789 oz

Tags

FCA3, FCA