VS-GB100TH120N

產品屬性

屬性值

製造商：

威世

產品分類：

IGBT 模塊

配置：

半橋

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

1.2 kV

集電極-發射極飽和電壓：

1.9 V

25 C 時的連續集電極電流：

200 A

柵極-發射極漏電流：

400 nA

Pd - 功耗：

833 W

包裝/案例：

INT-A-PAK

最高工作溫度：

+ 150 C

品牌：

威世半導體

安裝方式：

底盤安裝

最大柵極發射極電壓：

20 V

產品類別：

IGBT 模塊

出廠包裝數量：

12

子類別：

IGBT

Tags

VS-GB100T, VS-GB10, VS-GB1, VS-GB, VS-G