BSB008NE2LXXT

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

WDSON-2-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

25 V

Id - 連續漏極電流：

180 A

Rds On - 漏源電阻：

600 uOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.2 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

343 nC

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

89 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

商品名：

優化MOS

打包：

捲軸

高度：

0.7 mm

長度：

6.35 mm

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

5.05 mm

品牌：

英飛凌科技

正向跨導 - 最小值：

120 S

秋季時間：

32.4 ns

濕氣敏感：

是的

產品類別：

MOSFET

上升時間：

47.2 ns

出廠包裝數量：

5000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

75 ns

典型的開啟延遲時間：

12.6 ns

第 # 部分別名：

BSB008NE2LXXUMA1 SP000880866

Tags

BSB00, BSB0, BSB