2N5951

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

射頻 JFET 晶體管

RoHS：

Y

晶體管類型：

場效應管

技術：

矽

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

15 V

Vgs - 柵源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

13 mA

最大漏柵電壓：

30 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

350 mW

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-92-3

打包：

大部分

配置：

單身的

高度：

5.33 mm

長度：

5.2 mm

產品：

射頻結型場效應管

類型：

場效應管

寬度：

4.19 mm

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

柵源截止電壓：

2 V to 5 V

產品類別：

射頻 JFET 晶體管

出廠包裝數量：

2000

子類別：

晶體管

單位重量：

0.007090 oz

Tags

2N5951, 2N595, 2N59, 2N5