BSO150N03MD G

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SO-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

9.3 A

Rds On - 漏源電阻：

12.5 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

17 nC, 17 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

商品名：

優化MOS

打包：

捲軸

高度：

1.75 mm

長度：

4.9 mm

系列：

OptiMOS 3M

晶體管類型：

2 N-Channel

寬度：

3.9 mm

品牌：

英飛凌科技

正向跨導 - 最小值：

12 S, 12 S

秋季時間：

4.2 ns, 4.2 ns

濕氣敏感：

是的

產品類別：

MOSFET

上升時間：

3.8 ns, 3.8 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

8.7 ns, 8.7 ns

典型的開啟延遲時間：

7.3 ns, 7.3 ns

第 # 部分別名：

BSO150N03MDGXUMA1 BSO15N3MDGXT SP000447476

單位重量：

0.019048 oz

Tags

BSO150N03MDG, BSO150N03M, BSO150N0, BSO150, BSO15, BSO1, BSO