SQJ560EP-T1_GE3

產品屬性

屬性值

製造商：

威世

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

PowerPAK-SO-8L-4

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N溝道，P溝道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

30 A, 18 A

Rds On - 漏源電阻：

12 mOhms, 52.6 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.5 V, 2.5 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

30 nC, 45 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

34 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

質量

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨導 - 最小值：

56 S, 16 S

秋季時間：

4 ns, 5 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

4 ns, 6 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

20 ns, 27 ns

典型的開啟延遲時間：

12 ns, 11 ns

Tags

SQJ5, SQJ