HGTG12N60C3D

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

IGBT晶體管

RoHS：

E

技術：

矽

包裝/案例：

TO-247-3

安裝方式：

通孔

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

600 V

集電極-發射極飽和電壓：

1.65 V

最大柵極發射極電壓：

20 V

25 C 時的連續集電極電流：

24 A

Pd - 功耗：

104 W

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 150 C

系列：

HGTG12N60C3D

打包：

管子

連續集電極電流 Ic 最大值：

24 A

高度：

20.82 mm

長度：

15.87 mm

寬度：

4.82 mm

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

連續集電極電流：

24 A

柵極-發射極漏電流：

+/- 100 nA

產品類別：

IGBT晶體管

出廠包裝數量：

450

子類別：

IGBT

第 # 部分別名：

HGTG12N60C3D_NL

單位重量：

0.225753 oz

Tags

HGTG12N, HGTG12, HGTG1, HGTG, HGT