HS8K11TB

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

HSML3030L-10

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

7 A, 11 A

Rds On - 漏源電阻：

12.8 mOhms, 10.2 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V, 12 V

Qg - 門電荷：

11.1 nC, 20.2 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

晶體管類型：

2 N-Channel

品牌：

羅姆半導體

秋季時間：

5.1 ns, 7.5 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

10.8 ns, 15 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

26.8 ns, 47.3 ns

典型的開啟延遲時間：

9.4 ns, 13.6 ns

第 # 部分別名：

HS8K11

Tags

HS8K11, HS8K1, HS8K, HS8