DF23MR12W1M1B11BPSA1

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

分立半導體模塊

RoHS：

Y

產品：

功率 MOSFET 模塊

類型：

碳化矽功率MOSFET

Vf - 正向電壓：

4.6 V

Vr - 反向電壓：

1200 V

Vgs - 柵源電壓：

- 10 V, 20 V

安裝方式：

螺絲安裝

包裝/案例：

AG-EASY1BM-2

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 150 C

打包：

托盤

配置：

雙重的

品牌：

英飛凌科技

晶體管極性：

N通道

秋季時間：

12.8 ns

Id - 連續漏極電流：

25 A

產品類別：

分立半導體模塊

Rds On - 漏源電阻：

66 mOhms

上升時間：

7.2 ns

出廠包裝數量：

24

子類別：

分立半導體模塊

典型關斷延遲時間：

38.5 ns

典型的開啟延遲時間：

11.3 ns

Vds - 漏源擊穿電壓：

1200 V

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3.45 V

第 # 部分別名：

SP003094744

Tags

DF23, DF2