NST856BF3T5G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

雙極晶體管 - BJT

RoHS：

Y

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-1123-3

晶體管極性：

PNP

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

65 V

集電極-基極電壓 VCBO：

80 V

發射極基極電壓 VEBO：

5 V

最大直流集電極電流：

0.1 A

增益帶寬積 fT：

100 MHz

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

系列：

NST856BF3T5G

直流電流增益 hFE 最大值：

220 at 2 mA, 5 V

高度：

0.37 mm

長度：

0.6 mm

打包：

捲軸

寬度：

0.8 mm

品牌：

安森美半導體

DC 集電極/基極增益 hfe 最小值：

220 at 2 mA, 5 V

Pd - 功耗：

347 mW

產品類別：

BJT - 雙極晶體管

出廠包裝數量：

8000

子類別：

晶體管

Tags

NST85, NST8, NST