FQI8N60CTU

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

E

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-263-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

7.5 A

Rds On - 漏源電阻：

1.2 Ohms

Vgs - 柵源電壓：

30 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

3.13 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

管子

高度：

4.83 mm

長度：

10.67 mm

系列：

FQI8N60C

晶體管類型：

1 N-Channel

類型：

MOSFET

寬度：

9.65 mm

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

正向跨導 - 最小值：

8.7 S

秋季時間：

64.5 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

60.5 ns

出廠包裝數量：

1000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

81 ns

典型的開啟延遲時間：

16.5 ns

第 # 部分別名：

FQI8N60CTU_NL

單位重量：

0.073511 oz

Tags

FQI8N6, FQI8N, FQI8, FQI