APT18M100B

產品屬性

屬性值

製造商：

微芯片

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-247-3

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

1 kV

Id - 連續漏極電流：

18 A

Rds On - 漏源電阻：

600 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

150 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

625 W

頻道模式：

增強

商品名：

POWER MOS 8

打包：

管子

高度：

5.31 mm

長度：

21.46 mm

寬度：

16.26 mm

品牌：

微芯片/Microsemi

正向跨導 - 最小值：

19 S

秋季時間：

19 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

20 ns

出廠包裝數量：

1

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

75 ns

典型的開啟延遲時間：

22 ns

單位重量：

1.340411 oz

Tags

APT18M, APT18, APT1, APT