PTFA211801F V4 R250

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

射頻 MOSFET 晶體管

RoHS：

Y

晶體管極性：

N通道

技術：

矽

Id - 連續漏極電流：

1.3 A

Vds - 漏源擊穿電壓：

65 V

Rds On - 漏源電阻：

50 mOhms

獲得：

17.5 dB

輸出功率：

180 W

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 150 C

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

H-34288-4/2

打包：

捲軸

配置：

單身的

高度：

4.11 mm

長度：

23.11 mm

工作頻率：

2170 MHz

類型：

射頻功率MOSFET

寬度：

13.72 mm

品牌：

英飛凌科技

頻道模式：

增強

Pd - 功耗：

56.5 W

產品類別：

射頻 MOSFET 晶體管

出廠包裝數量：

250

子類別：

MOSFET

Vgs - 柵源電壓：

10 V

第 # 部分別名：

FA211801FV4R25XT

Tags

PTFA211801F, PTFA2118, PTFA211, PTFA21, PTFA2, PTFA, PTF