SIHFU9220-GE3

產品屬性

屬性值

製造商：

威世

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-251-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

200 V

Id - 連續漏極電流：

3.6 A

Rds On - 漏源電阻：

1.5 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

- 4 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

20 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

42 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

系列：

E

晶體管類型：

1 P-Channel

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨導 - 最小值：

1.1 S

秋季時間：

19 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

27 ns

出廠包裝數量：

1

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

7.3 ns

典型的開啟延遲時間：

8.8 ns

Tags

SIHFU9, SIHFU, SIHF, SIH