CSD86356Q5DT

產品屬性

屬性值

製造商：

德州儀器

產品分類：

MOSFET

RoHS：

E

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SON-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

25 V

Id - 連續漏極電流：

40 A

Rds On - 漏源電阻：

4.5 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

950 mV

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

7.9 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

12 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

場效應管

打包：

捲軸

系列：

CSD86356Q5D

晶體管類型：

電源塊

品牌：

德州儀器

正向跨導 - 最小值：

70 S

秋季時間：

3 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

26 ns

出廠包裝數量：

250

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

12 ns

典型的開啟延遲時間：

7 ns

Tags

CSD8635, CSD86, CSD8, CSD