SIRA06DP-T1-GE3

產品屬性

屬性值

製造商：

威世

產品分類：

MOSFET

RoHS：

E

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

PowerPAK-SO-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

40 A

Rds On - 漏源電阻：

2.05 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.1 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V, - 16 V

Qg - 門電荷：

77 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

62.5 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

TrenchFET、PowerPAK

打包：

捲軸

高度：

1.04 mm

長度：

6.15 mm

系列：

先生

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

5.15 mm

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨導 - 最小值：

105 S

秋季時間：

8 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

10 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

30 ns

典型的開啟延遲時間：

12 ns

第 # 部分別名：

SIRA06DP-GE3

單位重量：

0.017870 oz

Tags

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