PMGD280UN,115

產品屬性

屬性值

製造商：

Nexperia

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TSSOP-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

870 mA

Rds On - 漏源電阻：

340 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

450 mV

Vgs - 柵源電壓：

4.5 V

Qg - 門電荷：

0.89 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

0.4 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

1 mm

長度：

2.2 mm

產品：

MOSFET 小信號

晶體管類型：

2 N-Channel

寬度：

1.35 mm

品牌：

Nexperia

秋季時間：

10 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

10 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

18.5 ns

典型的開啟延遲時間：

4.5 ns

第 # 部分別名：

PMGD280UN T/R

單位重量：

0.000265 oz

Tags

PMGD280UN,1, PMGD28, PMGD2, PMGD, PMG