BSB028N06NN3 G

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

WDSON-2-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

90 A

Rds On - 漏源電阻：

2.8 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

108 nC

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

78 W

配置：

單身的

商品名：

優化MOS

打包：

捲軸

高度：

0.7 mm

長度：

6.35 mm

系列：

OptiMOS 3

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

5.05 mm

品牌：

英飛凌科技

秋季時間：

6 ns

濕氣敏感：

是的

產品類別：

MOSFET

上升時間：

9 ns

出廠包裝數量：

5000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

38 ns

典型的開啟延遲時間：

21 ns

第 # 部分別名：

BSB028N06NN3GXUMA1 BSB28N6NN3GXT SP000605956

Tags

BSB028N06NN3G, BSB028, BSB02, BSB0, BSB