SIHB8N50D-GE3

產品屬性

屬性值

製造商：

威世

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-263-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

500 V

Id - 連續漏極電流：

8.7 A

Rds On - 漏源電阻：

850 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

5 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

15 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

156 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

大部分

系列：

D

品牌：

威世 / Siliconix

秋季時間：

11 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

16 ns

出廠包裝數量：

1000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

17 ns

典型的開啟延遲時間：

13 ns

單位重量：

0.050717 oz

Tags

SIHB, SIH