SIHD7N60ET1-GE3

產品屬性

屬性值

製造商：

威世

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-252-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

7 A

Rds On - 漏源電阻：

600 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

20 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

78 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

E

品牌：

威世 / Siliconix

秋季時間：

14 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

13 ns

出廠包裝數量：

2000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

24 ns

典型的開啟延遲時間：

13 ns

單位重量：

0.050717 oz

Tags

SIHD7N60ET, SIHD7, SIHD, SIH