IXTP18P10T

產品屬性

屬性值

製造商：

IXYS

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-220-3

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

100 V

Id - 連續漏極電流：

18 A

Rds On - 漏源電阻：

120 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4.5 V

Vgs - 柵源電壓：

15 V

Qg - 門電荷：

39 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

83 W

頻道模式：

增強

商品名：

溝槽P

打包：

管子

高度：

16 mm

長度：

10.66 mm

系列：

IXTP18P10

類型：

溝槽功率 MOSFET

寬度：

4.83 mm

品牌：

IXYS

正向跨導 - 最小值：

8 S

秋季時間：

22 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

26 ns

出廠包裝數量：

50

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

44 ns

典型的開啟延遲時間：

19 ns

單位重量：

0.081130 oz

Tags

IXTP18, IXTP1, IXTP, IXT