FDBL0630N150

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

H-PSOF-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

150 V

Id - 連續漏極電流：

169 A

Rds On - 漏源電阻：

5 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

70 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

500 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

動力戰壕

打包：

捲軸

高度：

2.4 mm

長度：

10.48 mm

系列：

FDBL0630N150

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

9.9 mm

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

秋季時間：

23 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

30 ns

出廠包裝數量：

2000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

70 ns

典型的開啟延遲時間：

39 ns

單位重量：

0.029985 oz

Tags

FDBL0, FDBL, FDB