BSO110N03MS G

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SO-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

12.1 A

Rds On - 漏源電阻：

9.2 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

20 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.5 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

優化MOS

打包：

捲軸

高度：

1.75 mm

長度：

4.9 mm

系列：

OptiMOS 3M

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

3.9 mm

品牌：

英飛凌科技

正向跨導 - 最小值：

16 S

秋季時間：

4.4 ns

濕氣敏感：

是的

產品類別：

MOSFET

上升時間：

4.4 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

9.5 ns

典型的開啟延遲時間：

7.8 ns

第 # 部分別名：

BSO110N03MSGXUMA1 BSO11N3MSGXT SP000446062

單位重量：

0.019048 oz

Tags

BSO110N03MSG, BSO110N03M, BSO110, BSO11, BSO1, BSO