NXH80T120L2Q0S1G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

IGBT 模塊

RoHS：

Y

技術：

矽

產品：

IGBT 矽模塊

配置：

T型

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

600 V, 1200 V

集電極-發射極飽和電壓：

1.4 V, 2.05 V

25 C 時的連續集電極電流：

49 A, 67 A

柵極-發射極漏電流：

200 nA, 300 nA

Pd - 功耗：

158 W

包裝/案例：

Q0PACK

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 150 C

打包：

托盤

品牌：

安森美半導體

安裝方式：

壓合

最大柵極發射極電壓：

20 V

產品類別：

IGBT 模塊

出廠包裝數量：

24

子類別：

IGBT

Tags

NXH80T, NXH8, NXH